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相变存储设备速度快捷的新认识

发布日期:2018-12-07  来源:航空工业信息网  作者:余跃我要投稿我要评论

【据美国亚利桑那州立大学2018年11月30日报道】美国亚利桑那州立大学分子科学学院的科学家及德国科学家对于相变存贮器(PCM材料比当前闪存材料更加持久耐用、并且运行速度还要快千倍这一问题做出了进一步的解释。研究人员使用准弹性中子散射技术(QENS研究了液态PCM材料的微观动态,发现当锗锑碲1:2:4的比例混合时,其密度最大值和金属非金属跃迁均在熔点之下,并且跃迁比其他硫化物混合物更为迅捷。据此研究人员认为,材料响应函数的极值波动导致材料结晶极为快速,结晶温度越高,材料金属态密度越大。研究人员表示,“跃迁面之上液体呈流动状导致结晶极为快速,跃迁面之下液体快速变硬导致室温下形状不规则、导电性低”,接收计算机编程的热脉冲指令后,纳米比特可在纳秒级的时间水平上由无限稳定状态瞬间结晶成导电状态。

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