【据美国宾夕法尼亚州立大学网站2019年5月28日报道】美国宾夕法尼亚州立大学的科研人员发现，可通过掺杂碳氢(CH)分子来显著改变单层原子厚度的半导体材料二硫化钨(WS2)的电学性质，并通过实验证实。在掺杂前，WS2表现为单极N型传导，随着碳掺杂水平的增加，CH-WS2单层开始出现P型分支，最终可完全转换为P型。通过控制碳掺杂水平，可以在WS2中生成N+/P/N+和P+/N/P+结。当前有关2D材料掺杂的论文不多，因为这个过程涉及很多复杂条件和过程。PSU团队的技巧是，使用等离子体辅助将甲烷的裂解温度降低到400摄氏度。该研究得到了美国能源部科学办公室基础能源科学计划的支持，相关论文《Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport》已在Science Advances上发表。
