【据日本东北大学网站2019年6月19日报道】日本东北大学的科研人员开发出一种新型磁隧道结(MTJ)，可以使自扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的热稳定因子增加1.5-2倍，无需提高写入电流、或降低隧道磁阻比。研究小组发明了一种结构，将CoFeB/MgO界面数量较常规结构增加了两倍，增加了界面磁各项异性，同时优化了MTJ的结构设计，从而确保在提高热稳定因子的同时，不增加功耗、不降低隧道磁阻比。研究团队采用了与当前批产STT-MRAM相同的材料组，并保持了与第一代10纳米技术兼容，相关论文《Novel Quad interface MTJ technology and its first demonstration with high thermal stability and switching efficiency for STT-MRAM beyond 2Xnm》已在6月9-14日日本京都举行的VLSI技术和电路年会上发表。研究人员认为该项技术可以用于批产，可扩展STT-MRAM在消费类电子领域的应用范围。
