【据美国普渡大学网站2019年5月30日报道】美国普渡大学的科研人员与美国密歇根大学和中国华中科技大学合作，成功验证了可以利用激光冲击在石墨烯中生成永久“带隙”结构，能量带隙达到达到了2.1eV，远高于此前的记录0.5eV，从而使石墨烯有望在下一代电子技术中起到硅之类的半导体的作用。与化学掺杂等技术不同，该研究团队采用的技术并不改变石墨烯的构成，只是利用激光对石墨烯进行纯粹的强化。研究人员利用激光产生的冲击脉冲将石墨烯片压印到下面的沟槽状模具上，使其产生永久形变，使石墨烯中的带隙结构永久化。研究人员可以通过调节激光功率来调节石墨烯的带隙大小。研究人员称，虽然距离将石墨烯放入半导体器件还有很长的路要走，但该项技术使科研人员可以更灵活地利用石墨烯材料的光学、磁性和热性能。该项研究得到了美国国家科学基金会的支持，相关论文《Asymmetric 3D Elastic–Plastic Strain‐Modulated Electron Energy Structure in Monolayer Graphene by Laser Shocking》已在Advanced Materials期刊上发表。
