【据美国德州大学达拉斯分校网站2019年5月28日报道】美国德州大学达拉斯分校的科研人员通过原理论证、设计和仿真，发展了基于氧化锌的多值逻辑晶体管的基本物理学，并成功制造出多值逻辑晶体管原型器件。研究人员发现，可以通过将称为量子点的氧化锌晶体嵌入无定形氧化锌中，实现多值逻辑所需的物理学。研究人员将两种形式的氧化锌结合形成复合纳米层的新型结构，然后在超晶格中与其他材料层结合制成了多值逻辑晶体管原型。原型晶体管在0和1之间具有2个电子稳定且可靠的中间状态，可使单个晶体管的逻辑值数量由2个增加到4个。该技术不仅与现有的计算机芯片配置兼容，而且还可以弥合当今计算机和量子计算机之间的差距，并可在不增加晶体管数量的前提下，通过增加每个晶体管携带的信息数量来显著提升电子设备的处理能力。研究人员下一步将会对该项技术进行优化，并研究该现象在其他材料中的普遍性。该研究得到了韩国国家研究基金会的支持，相关论文《ZnO composite nanolayer with mobility edge quantization for multi-value logic transistors》已在Nature Communications期刊上发表。
